披露显示，公司临港工厂已经达到年产30万片衬底产能规划目标。临港工厂的8英寸碳化硅总体产能规划约60万片，公司将分阶段实施。

公司在临港工厂建设上进行了超前布局，以适应产能的持续提升。随着30万片衬底产量的提前达产，公司在8英寸碳化硅产能建设上也可能超预期实现。

作为国内第三代半导体龙头企业，天岳先进率先推动8英寸碳化硅产业化进程。公司产品已经打入全球一线大厂，实现关键半导体材料 “出海”，全球前十大功率半导体企业一半以上已经成为公司的客户。

另一方面，近日英飞凌完成了位于马来西亚居林的8英寸碳化硅晶圆厂第一阶段建设。英飞凌还曾表示，天岳先进将协助其向8英寸碳化硅转型。全 球功率器件一线大厂也纷纷扩大8英寸碳化硅布局。

去年底公司董事长也向行业内公开表示，天岳先进的8英寸碳化硅衬底已经就绪，海外客户验证反馈非常好，下游晶圆制造端可以加快布局，共同推进我国第三代半导体产业链发展。

碳化硅半导体属于半导体的前沿新兴领域。碳化硅技术在电动汽车上的成功应用，带动了碳化硅在其他领域的应用拓展，碳化硅行业将继续保持增长趋势。（齐和宁）

校对：李凌锋

（文章来源：证券时报网）

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文章作者：齐和宁

原标题：天岳先进正加快扩建8英寸碳化硅衬底产能