这一研究成果以《Selenium alloyed tellurium oxide for amorphous p-channel transistors》为题，于北京时间10日23时在权威期刊《Nature》以加速预览形式(Accelerated Article Preview)在线发表。该成果由中国电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成。论文第一单位为电子科技大学基础与前沿研究院，电子科技大学基础与前沿研究 院教授刘奥为论文第一作者和通讯作者。

　　相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。

　　目前非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体技术的发展。传统氧化物半导体因高局域态价带顶和自补偿效应，导致空穴传输效率极差，难以满足应用需求。

　　科研人员因此投入大量精力开发新型非氧化物P型半导体，但目前这些新材料只能在多晶态下展现一定的P型特性。此外，这些材料还存在稳定性和均匀性等固有缺陷，且难以与现有工业制程工艺兼容。

　　在过去二十余年里，全球科研人员不断改进和优化“价带轨道杂化理论”，尝试实现高空穴迁移率的P型氧化物基半导体，但收效甚微。这也导致专家普遍认为，实现高性能的非晶P型半导体和CMOS器件是一项“几乎不可能完成的挑战”。

段希柏（记者 陈盈妃）09月12日,“我明白的。”

段希柏（记者 林冠儒）09月12日,到最后，苏小蛮竟然幸运的赢取了跟林枫共居一室的权利。

旁的小妞虽然没说什么，可看得出来，俱都有些不悦。